林兰英院士(1918.2-2003.3)

 中科院院士、半导体材料专家、物理学家,荔城区镇海凤山居委会下务巷人。1930年砺青小学毕业，1933年砺青初级中学毕业,1940年协和大学毕业，1955年获美国宾州大学固体物理学博士学位。后进纽约长岛索非亚公司从事半导体研究。1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员、副所长，兼任中国电子学会电子材料委员会主任。系中国科协副主席，全国人大代表、常委，中共十二大代表。长期从事半导体材料科学研究，是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。领导我国科技人员，成功研制锗、硅半导体单晶材料、锑化钢、砷化镓和磷化镓等化合物半导体材料，并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术，为我国微电子技术学和光电学的创立奠定了基础。指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。参与组织领导了4千位、16千位大规模集成电路一MOS随机存储器的成功研制。1987年在世界上首次在太空微重力条件下用降温凝固法从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继4次在我国返回式卫星上生长镓单晶。2002年，以她的名字命名的我国首家化合物半导体材料企业中科镓英半导体有限公司成立，实现了把砷化镓研究项目产业化的夙愿。1980年、1981年、1982年、1989年科研成果均获得当年中科院科技进步一等奖，1985年获国家科技进步二等奖，1990年获国家科技进步三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。